檢索結果：共4筆資料 檢索策略： "氧化銦鎵鋅".ckeyword (精準) and cdept.raw="光電工程研究所"
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在顯示科技方面上，金屬氧化物半導體因擁有較高的均勻度利於大面積製程、可低溫製程、較低的製程費用等優點，因此被視為現今最具潛力的薄膜電晶體材料。場效載子遷移率扮演影響薄膜電晶體電特性好壞一很重要的腳色…
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金屬氧化物薄膜電晶體一般都採用下閘極上接觸式的結構，以防止TFT-LCD的背光源照射到通道層材料進而影響其電特性。另外在此下閘極結構中，因為要考慮到光罩間對位的誤差，而將其汲極和源極設計成與閘極各有…
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本研究以簡單與低成本的製程技術製備高效能的氫氣感測元件，內文將分為三個部分。第一部分探討氧化銦鎵鋅與超奈米鑽石之氫氣感測及物性分析，接著再探討氧化銦鎵鋅與超奈米鑽石(IGZO/N-UNCD)複合結構…
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本論文分為二部分，第一部分探討不同成長時間的摻氮的超奈米鑽石(N-UNCD)和氧化鋅及氧化銦鎵鋅複合奈米柱/管之氫氣感測器，並進行物性及電性之分析；第二部分探討不同成長時間的摻氬的超奈米鑽石(Ar-…